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    KAUST大學研發奈米AlGaN發光裝置,有望提升UV LED效能

    來源:LEDinside 時間:2018-07-27 09:22 [編輯:JamesWen] 【字體: 】 我來說兩句

    近期,沙特阿卜都拉國王科技大學(KAUST)研究團隊研發出奈米級氮化鋁鎵(AlGaN)發光裝置。研究人員以漸變折射率分布限制結構層(GRINSCH)裝置,制作出奈米級GRINSCH二極體,研究人員期望未來能應用在奈米高效能UV LED裝置,像是激光、光感測器、調幅器以及積體光學相關裝置上。

    (來源:KAUST官網)

    現有AlGaN發光裝置,被視為是取代現有UV氣體激光和含有有毒物質的UV燈的UV燈源。不過由于裝置中的UV激光二極體,電壓至少要25伏特才能操作,加上電洞注入層效率不佳,導致串聯電阻高,導致性能受限。其中原因和AlGaN鋁層的P型半導體涂層以及缺少有效的散熱管道等有關。

    奈米級AlGaN和原先AlGaN磊晶薄膜層相比,由于表面積對體積比高,形成有效的應力松弛,能直接在包括金屬等基質上延展。金屬和以矽或藍寶石包復的金屬基質,能在高電流操作過程,提供更好的散熱管道。另外,奈米級P型半導體因為加入了鎂,活化能需求低,因此電阻也相對較小。經過研究團隊實驗證實,GRINSCH二極體在電子和光學表現上出色,所需電壓和串聯電阻也比原先的二極體要低。


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